SIA456DJ-T1-GE3 - MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6

制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
1124590 Pieces
参考价
USD 0.24948
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规格 SIA456DJ-T1-GE3

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : SIA456DJ-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
描述 : MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6
系列 : TrenchFET®
零件状态 : Active
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss) : 200V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 2.6A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON)) : 1.8V, 4.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 1.38 Ohm @ 750mA, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识 : 1.4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 14.5nC @ 10V
VGS(最大) : ±16V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 350pF @ 100V
FET特点 : -
功率耗散(最大) : 3.5W (Ta), 19W (Tc)
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : PowerPAK® SC-70-6 Single
封装/箱体 : PowerPAK® SC-70-6
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : SIA45 , SIA456D

文件 SIA456DJ-T1-GE3

数据表 : SIA456DJ-T1-GE3.pdf

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