ALD111933PAL - MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
126720 Pieces
参考价
USD 2.214
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规格 ALD111933PAL

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : ALD111933PAL
制造商 : Advanced Linear Devices Inc.
描述 : MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
系列 : EPAD®
零件状态 : Active
FET型 : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET特点 : Standard
漏极至源极电压(Vdss) : 10.6V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : -
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 500 Ohm @ 5.9V
VGS(TH)(最大)标识 : 3.35V @ 1µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : -
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 2.5pF @ 5V
功率 - 最大 : 500mW
工作温度 : 0°C ~ 70°C (TJ)
安装类型 : Through Hole
封装/箱体 : 8-DIP (0.300", 7.62mm)
供应商设备封装 : 8-PDIP
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : ALD1 , ALD111

文件 ALD111933PAL

数据表 : ALD111933PAL.pdf

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