SI7456DP-T1-E3 - MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8

制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
527855 Pieces
参考价
USD 0.531516
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规格 SI7456DP-T1-E3

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : SI7456DP-T1-E3
制造商 : Vishay Siliconix
描述 : MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
系列 : TrenchFET®
零件状态 : Active
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss) : 100V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 5.7A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON)) : 6V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 25 mOhm @ 9.3A, 10V
VGS(TH)(最大)标识 : 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 44nC @ 10V
VGS(最大) : ±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : -
FET特点 : -
功率耗散(最大) : 1.9W (Ta)
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : PowerPAK® SO-8
封装/箱体 : PowerPAK® SO-8
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : SI74 , SI7456D

文件 SI7456DP-T1-E3

数据表 : SI7456DP-T1-E3.pdf

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