SI4618DY-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
28392 Pieces
参考价
USD 0
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规格 SI4618DY-T1-GE3

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : SI4618DY-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
描述 : MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
系列 : TrenchFET®
零件状态 : Obsolete
FET型 : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET特点 : Standard
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 8A, 15.2A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 17 mOhm @ 8A, 10V
VGS(TH)(最大)标识 : 2.5V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 44nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 1535pF @ 15V
功率 - 最大 : 1.98W, 4.16W
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备封装 : 8-SO
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : SI461 , SI4618D

文件 SI4618DY-T1-GE3

数据表 : SI4618DY-T1-GE3.pdf

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