SIE836DF-T1-E3 - MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
11904 Pieces
参考价
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规格 SIE836DF-T1-E3
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 :
SIE836DF-T1-E3
制造商 :
Vishay Siliconix
描述 :
MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
系列 :
TrenchFET®
零件状态 :
Obsolete
FET型 :
N-Channel
技术 :
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） :
200V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
18.3A (Tc)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） :
10V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
130 mOhm @ 4.1A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 :
4.5V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
41nC @ 10V
VGS（最大） :
±30V
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
1200pF @ 100V
FET特点 :
-
功率耗散（最大） :
5.2W (Ta), 104W (Tc)
工作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 :
Surface Mount
供应商设备封装 :
10-PolarPAK® (SH)
封装/箱体 :
10-PolarPAK® (SH)
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
文件 SIE836DF-T1-E3
数据表 :
SIE836DF-T1-E3.pdf
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