SCT20N120 - MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247

制造商零件编号

SCT20N120

内部零件号

AX-SCT20N120

制造商

STMicroelectronics

简要描述

MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

41608 Pieces

参考价

~~USD 9.438~~

我们的价格

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规格 SCT20N120

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : SCT20N120

制造商 : STMicroelectronics

描述 : MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247

系列 : -

零件状态 : Active

FET型 : N-Channel

技术 : SiCFET (Silicon Carbide)

漏极至源极电压（Vdss） : 1200V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 20A (Tc)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 20V

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 290 mOhm @ 10A, 20V

VGS（TH）（最大）标识 : 3.5V @ 1mA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 45nC @ 20V

VGS（最大） : +25V, -10V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 650pF @ 400V

FET特点 : -

功率耗散（最大） : 175W (Tc)

工作温度 : -55°C ~ 200°C (TJ)

安装类型 : Through Hole

供应商设备封装 : HiP247™

封装/箱体 : TO-247-3

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 SCT20N120

数据表 : SCT20N120.pdf

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