SIZF906ADT-T1-GE3 - MOSFET DUAL N-CHAN 30V

制造商零件编号

SIZF906ADT-T1-GE3

内部零件号

AX-SIZF906ADT-T1-GE3

制造商

Vishay Siliconix

简要描述

MOSFET DUAL N-CHAN 30V

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

612115 Pieces

参考价

~~USD 0.458346~~

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规格 SIZF906ADT-T1-GE3

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : SIZF906ADT-T1-GE3

制造商 : Vishay Siliconix

描述 : MOSFET DUAL N-CHAN 30V

系列 : TrenchFET® Gen IV

零件状态 : Active

FET型 : 2 N-Channel (Dual), Schottky

FET特点 : Standard

漏极至源极电压（Vdss） : 30V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 2.2V @ 250µA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 49nC @ 10V, 200nC @ 10V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V

功率 - 最大 : 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)

工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 : Surface Mount

封装/箱体 : 8-PowerWDFN

供应商设备封装 : 8-PowerPair® (6x5)

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 SIZF906ADT-T1-GE3

数据表 : SIZF906ADT-T1-GE3.pdf

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