SIHB35N60E-GE3 - MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263

制造商零件编号

SIHB35N60E-GE3

内部零件号

AX-SIHB35N60E-GE3

制造商

Vishay Siliconix

简要描述

MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

66040 Pieces

参考价

~~USD 4.248~~

我们的价格

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规格 SIHB35N60E-GE3

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : SIHB35N60E-GE3

制造商 : Vishay Siliconix

描述 : MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263

系列 : -

零件状态 : Active

FET型 : N-Channel

技术 : MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压（Vdss） : 650V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 32A (Tc)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 10V

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 94 mOhm @ 17A, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 4V @ 250µA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 132nC @ 10V

VGS（最大） : ±30V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 2760pF @ 100V

FET特点 : -

功率耗散（最大） : 250W (Tc)

工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 : Surface Mount

供应商设备封装 : D²PAK (TO-263)

封装/箱体 : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 SIHB35N60E-GE3

数据表 : SIHB35N60E-GE3.pdf

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