NVMFD5C650NLWFT1G - MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL

制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
389225 Pieces
参考价
USD 0.72081
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规格 NVMFD5C650NLWFT1G

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : NVMFD5C650NLWFT1G
制造商 : ON Semiconductor
描述 : MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
系列 : Automotive, AEC-Q101
零件状态 : Active
FET型 : 2 N-Channel (Dual)
FET特点 : Standard
漏极至源极电压(Vdss) : 60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 21A (Ta), 111A (Tc)
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 4.2 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)标识 : 2.2V @ 98µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 16nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 2546pF @ 25V
功率 - 最大 : 3.5W (Ta), 125W (Tc)
工作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 8-PowerTDFN
供应商设备封装 : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : NVMFD , NVMFD5C6

文件 NVMFD5C650NLWFT1G

数据表 : NVMFD5C650NLWFT1G.pdf

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