TPD3215M - GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
制造商零件编号
内部零件号
AX-TPD3215M
制造商
简要描述
GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
4176 Pieces
参考价
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规格 TPD3215M
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : TPD3215M
制造商 : Transphorm
描述 : GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
系列 : -
零件状态 : Obsolete
FET型 : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET特点 : GaNFET (Gallium Nitride)
漏极至源极电压（Vdss） : 600V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 70A (Tc)
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 34 mOhm @ 30A, 8V
VGS（TH）（最大）标识 : -
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 28nC @ 8V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 2260pF @ 100V
功率 - 最大 : 470W
工作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Through Hole
封装/箱体 : Module
供应商设备封装 : Module
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 TPD3215M
数据表 : TPD3215M.pdf
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