PSMN3R3-80ES,127 - MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK

制造商零件编号

PSMN3R3-80ES,127

内部零件号

AX-PSMN3R3-80ES,127

制造商

Nexperia USA Inc.

简要描述

MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

253955 Pieces

参考价

~~USD 1.104732~~

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规格 PSMN3R3-80ES,127

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : PSMN3R3-80ES,127

制造商 : Nexperia USA Inc.

描述 : MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK

系列 : -

零件状态 : Active

FET型 : N-Channel

技术 : MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压（Vdss） : 80V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 120A (Tc)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 10V

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 3.3 mOhm @ 25A, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 4V @ 1mA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 139nC @ 10V

VGS（最大） : ±20V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 9961pF @ 40V

FET特点 : -

功率耗散（最大） : 338W (Tc)

工作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)

安装类型 : Through Hole

供应商设备封装 : I2PAK

封装/箱体 : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 PSMN3R3-80ES,127

数据表 : PSMN3R3-80ES,127.pdf

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