2SK2845(TE16L1,Q) - MOSFET N-CH 900V 1A DP

制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET N-CH 900V 1A DP
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
7984 Pieces
参考价
USD 0
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规格 2SK2845(TE16L1,Q)

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : 2SK2845(TE16L1,Q)
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
描述 : MOSFET N-CH 900V 1A DP
系列 : -
零件状态 : Obsolete
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss) : 900V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 1A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON)) : 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 9 Ohm @ 500mA, 10V
VGS(TH)(最大)标识 : 4V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 15nC @ 10V
VGS(最大) : ±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 350pF @ 25V
FET特点 : -
功率耗散(最大) : 40W (Tc)
工作温度 : 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : DP
封装/箱体 : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 : -
条件 : 新的和原始的
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文件 2SK2845(TE16L1,Q)

数据表 : 2SK2845(TE16L1,Q).pdf

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