TP0610K-T1-GE3 - MOSFET P-CH 60V 185MA TO-236

制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET P-CH 60V 185MA TO-236
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
3660900 Pieces
参考价
USD 0.076638
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规格 TP0610K-T1-GE3

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : TP0610K-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
描述 : MOSFET P-CH 60V 185MA TO-236
系列 : TrenchFET®
零件状态 : Active
FET型 : P-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss) : 60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 185mA (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON)) : 4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 6 Ohm @ 500mA, 10V
VGS(TH)(最大)标识 : 3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 1.7nC @ 15V
VGS(最大) : ±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 23pF @ 25V
FET特点 : -
功率耗散(最大) : 350mW (Ta)
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : SOT-23-3 (TO-236)
封装/箱体 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : TP06 , TP0610K

文件 TP0610K-T1-GE3

数据表 : TP0610K-T1-GE3.pdf

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