TK12E60W,S1VX - MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
188930 Pieces
参考价
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规格 TK12E60W,S1VX
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 :
TK12E60W,S1VX
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
描述 :
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
系列 :
DTMOSIV
零件状态 :
Active
FET型 :
N-Channel
技术 :
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） :
600V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
11.5A (Ta)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） :
10V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
300 mOhm @ 5.8A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 :
3.7V @ 600µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
25nC @ 10V
VGS（最大） :
±30V
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
890pF @ 300V
FET特点 :
Super Junction
功率耗散（最大） :
110W (Tc)
工作温度 :
150°C (TJ)
安装类型 :
Through Hole
供应商设备封装 :
TO-220
封装/箱体 :
TO-220-3
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
文件 TK12E60W,S1VX
数据表 :
TK12E60W,S1VX.pdf
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