DN3765K4-G - MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK

制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
205320 Pieces
参考价
USD 1.366398
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规格 DN3765K4-G

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : DN3765K4-G
制造商 : Microchip Technology
描述 : MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK
系列 : -
零件状态 : Active
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss) : 650V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 300mA (Tj)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON)) : 0V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 8 Ohm @ 150mA, 0V
VGS(TH)(最大)标识 : -
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : -
VGS(最大) : ±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 825pF @ 25V
FET特点 : Depletion Mode
功率耗散(最大) : 2.5W (Ta)
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : TO-252-3
封装/箱体 : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : DN3 , DN376

文件 DN3765K4-G

数据表 : DN3765K4-G.pdf

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