IS43DR16160B-3DBI - IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

制造商零件编号
内部零件号
简要描述
IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
34958 Pieces
参考价
USD 0
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规格 IS43DR16160B-3DBI

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : IS43DR16160B-3DBI
制造商 : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
描述 : IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA
系列 : -
零件状态 : Active
内存类型 : Volatile
存储格式 : DRAM
技术 : SDRAM - DDR2
内存大小 : 256Mb (16M x 16)
时钟频率 : 333MHz
写周期时间 - 字,页面 : 15ns
访问时间 : 450ps
内存接口 : Parallel
电压 - 电源 : 1.7V ~ 1.9V
工作温度 : -40°C ~ 85°C
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 84-TFBGA
供应商设备封装 : 84-TWBGA (8x12.5)
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : IS43D , IS43DR16

文件 IS43DR16160B-3DBI

数据表 : IS43DR16160B-3DBI.pdf

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