NGTD17T65F2WP - IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
226110 Pieces
参考价
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规格 NGTD17T65F2WP
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 :
NGTD17T65F2WP
制造商 :
ON Semiconductor
描述 :
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
系列 :
-
零件状态 :
Active
IGBT类型 :
Trench Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿（最大） :
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大） :
-
电流 - 集电极脉冲（ICM） :
160A
的VCE（on）（最大）Vge的，集成电路 :
2V @ 15V, 40A
功率 - 最大 :
-
开关能量 :
-
输入类型 :
Standard
栅极电荷 :
-
TD（开/关）@ 25℃ :
-
测试条件 :
-
反向恢复时间（trr） :
-
工作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型 :
Surface Mount
封装/箱体 :
Die
供应商设备封装 :
Die
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
文件 NGTD17T65F2WP
数据表 :
NGTD17T65F2WP.pdf
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