MT44K64M18RB-083E:A TR - IC RLDRAM 3 1.125GBIT 64MX18 TBG
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
IC RLDRAM 3 1.125GBIT 64MX18 TBG
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
52380 Pieces
参考价
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规格 MT44K64M18RB-083E:A TR
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : MT44K64M18RB-083E:A TR
制造商 : Micron Technology Inc.
描述 : IC RLDRAM 3 1.125GBIT 64MX18 TBG
系列 : -
零件状态 : Obsolete
内存类型 : Volatile
存储格式 : DRAM
技术 : DRAM
内存大小 : 1.125Gb (64Mb x 18)
时钟频率 : 1200MHz
写周期时间 - 字，页面 : -
访问时间 : 7.5ns
内存接口 : Parallel
电压 - 电源 : 1.28V ~ 1.42V
工作温度 : 0°C ~ 95°C (TC)
安装类型 : -
封装/箱体 : -
供应商设备封装 : -
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : MT44K64 , MT44K64M18R
文件 MT44K64M18RB-083E:A TR
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