IPP052N06L3GXKSA1 - MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

制造商零件编号

IPP052N06L3GXKSA1

内部零件号

AX-IPP052N06L3GXKSA1

制造商

Infineon Technologies

简要描述

MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

288640 Pieces

参考价

~~USD 0.972~~

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规格 IPP052N06L3GXKSA1

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : IPP052N06L3GXKSA1

制造商 : Infineon Technologies

描述 : MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

系列 : OptiMOS™

零件状态 : Active

FET型 : N-Channel

技术 : MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压（Vdss） : 60V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 80A (Tc)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 4.5V, 10V

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 5 mOhm @ 80A, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 2.2V @ 58µA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 50nC @ 4.5V

VGS（最大） : ±20V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 8400pF @ 30V

FET特点 : -

功率耗散（最大） : 115W (Tc)

工作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)

安装类型 : Through Hole

供应商设备封装 : PG-TO220-3

封装/箱体 : TO-220-3

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 IPP052N06L3GXKSA1

数据表 : IPP052N06L3GXKSA1.pdf

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