SSM6L35FU(TE85L,F) - MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
5527270 Pieces
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规格 SSM6L35FU(TE85L,F)
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : SSM6L35FU(TE85L,F)
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
描述 : MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
系列 : -
零件状态 : Active
FET型 : N and P-Channel
FET特点 : Logic Level Gate, 1.2V Drive
漏极至源极电压（Vdss） : 20V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 180mA, 100mA
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 3 Ohm @ 50mA, 4V
VGS（TH）（最大）标识 : 1V @ 1mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : -
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 9.5pF @ 3V
功率 - 最大 : 200mW
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备封装 : US6
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 SSM6L35FU(TE85L,F)
数据表 : SSM6L35FU(TE85L,F).pdf
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