SI7220DN-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8

制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
517575 Pieces
参考价
USD 0.54207
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规格 SI7220DN-T1-GE3

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : SI7220DN-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
描述 : MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8
系列 : TrenchFET®
零件状态 : Active
FET型 : 2 N-Channel (Dual)
FET特点 : Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss) : 60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 3.4A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 60 mOhm @ 4.8A, 10V
VGS(TH)(最大)标识 : 3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 20nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : -
功率 - 最大 : 1.3W
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : PowerPAK® 1212-8 Dual
供应商设备封装 : PowerPAK® 1212-8 Dual
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : SI722 , SI7220D

文件 SI7220DN-T1-GE3

数据表 : SI7220DN-T1-GE3.pdf

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