GSID200A170S3B1 - SILICON IGBT MODULES
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
SILICON IGBT MODULES
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
5280 Pieces
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规格 GSID200A170S3B1
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : GSID200A170S3B1
制造商 : Global Power Technologies Group
描述 : SILICON IGBT MODULES
系列 : Amp+™
零件状态 : Active
IGBT类型 : -
组态 : 2 Independent
电压 - 集电极发射极击穿（最大） : 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大） : 400A
功率 - 最大 : 1630W
的VCE（on）（最大）Vge的，集成电路 : 1.9V @ 15V, 200A
电流 - 集电极截止（最大） : 1mA
输入电容（连锁商店）@的Vce : 26nF @ 25V
输入 : Standard
NTC热敏电阻器 : No
工作温度 : -40°C ~ 150°C
安装类型 : Chassis Mount
封装/箱体 : D-3 Module
供应商设备封装 : D3
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 GSID200A170S3B1
数据表 : GSID200A170S3B1.pdf
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