BSP123E6327T - MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223

制造商零件编号

BSP123E6327T

内部零件号

AX-BSP123E6327T

制造商

Infineon Technologies

简要描述

MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

8942 Pieces

参考价

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规格 BSP123E6327T

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : BSP123E6327T

制造商 : Infineon Technologies

描述 : MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223

系列 : SIPMOS®

零件状态 : Obsolete

FET型 : N-Channel

技术 : MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压（Vdss） : 100V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 370mA (Ta)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 2.8V, 10V

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 6 Ohm @ 370mA, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 1.8V @ 50µA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 2.4nC @ 10V

VGS（最大） : ±20V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 70pF @ 25V

FET特点 : -

功率耗散（最大） : 1.79W (Ta)

工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 : Surface Mount

供应商设备封装 : PG-SOT223-4

封装/箱体 : TO-261-4, TO-261AA

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 BSP123E6327T

数据表 : BSP123E6327T.pdf

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