TPS1101DR - MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

制造商零件编号

TPS1101DR

内部零件号

AX-TPS1101DR

制造商

Texas Instruments

简要描述

MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

481965 Pieces

参考价

~~USD 0.58212~~

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规格 TPS1101DR

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : TPS1101DR

制造商 : Texas Instruments

描述 : MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

系列 : -

零件状态 : Active

FET型 : P-Channel

技术 : MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压（Vdss） : 15V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 2.3A (Ta)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 2.7V, 10V

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 90 mOhm @ 2.5A, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 1.5V @ 250µA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 11.25nC @ 10V

VGS（最大） : +2V, -15V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : -

FET特点 : -

功率耗散（最大） : 791mW (Ta)

工作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 : Surface Mount

供应商设备封装 : 8-SOIC

封装/箱体 : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 TPS1101DR

数据表 : TPS1101DR.pdf

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