TPS1101DR - MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
制造商零件编号
内部零件号
AX-TPS1101DR
简要描述
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
481965 Pieces
参考价
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规格 TPS1101DR
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : TPS1101DR
制造商 : Texas Instruments
描述 : MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
系列 : -
零件状态 : Active
FET型 : P-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） : 15V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 2.3A (Ta)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 2.7V, 10V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 90 mOhm @ 2.5A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 : 1.5V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 11.25nC @ 10V
VGS（最大） : +2V, -15V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : -
FET特点 : -
功率耗散（最大） : 791mW (Ta)
工作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : 8-SOIC
封装/箱体 : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 TPS1101DR
数据表 : TPS1101DR.pdf
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