DMN31D5UFZ-7B - MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-

制造商零件编号

DMN31D5UFZ-7B

内部零件号

AX-DMN31D5UFZ-7B

制造商

Diodes Incorporated

简要描述

MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

4341755 Pieces

参考价

~~USD 0.06462~~

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规格 DMN31D5UFZ-7B

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : DMN31D5UFZ-7B

制造商 : Diodes Incorporated

描述 : MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-

系列 : -

零件状态 : Active

FET型 : N-Channel

技术 : MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压（Vdss） : 30V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 220mA (Ta)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 1.2V, 4.5V

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V

VGS（TH）（最大）标识 : 1V @ 250µA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 0.35nC @ 4.5V

VGS（最大） : ±12V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 22.2pF @ 15V

FET特点 : -

功率耗散（最大） : 393mW (Ta)

工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 : Surface Mount

供应商设备封装 : X2-DFN0606-3

封装/箱体 : 3-XFDFN

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 DMN31D5UFZ-7B

数据表 : DMN31D5UFZ-7B.pdf

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