EFC4618R-P-TR - MOSFET 2N-CH EFCP1818
制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET 2N-CH EFCP1818
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
28574 Pieces
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规格 EFC4618R-P-TR
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : EFC4618R-P-TR
制造商 : ON Semiconductor
描述 : MOSFET 2N-CH EFCP1818
系列 : -
零件状态 : Obsolete
FET型 : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET特点 : Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏极至源极电压（Vdss） : -
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : -
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : -
VGS（TH）（最大）标识 : -
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 25.4nC @ 4.5V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : -
功率 - 最大 : 1.6W
工作温度 : 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 4-XBGA, 4-FCBGA
供应商设备封装 : EFCP1313-4CC-037
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 EFC4618R-P-TR
数据表 : EFC4618R-P-TR.pdf
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