NDD04N60Z-1G - MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

制造商零件编号

NDD04N60Z-1G

内部零件号

AX-NDD04N60Z-1G

制造商

ON Semiconductor

简要描述

MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

9576 Pieces

参考价

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规格 NDD04N60Z-1G

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : NDD04N60Z-1G

制造商 : ON Semiconductor

描述 : MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

系列 : -

零件状态 : Obsolete

FET型 : N-Channel

技术 : MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压（Vdss） : 600V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 4.1A (Tc)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 10V

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 2 Ohm @ 2A, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 4.5V @ 50µA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 29nC @ 10V

VGS（最大） : ±30V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 640pF @ 25V

FET特点 : -

功率耗散（最大） : 83W (Tc)

工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 : Through Hole

供应商设备封装 : I-PAK

封装/箱体 : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 NDD04N60Z-1G

数据表 : NDD04N60Z-1G.pdf

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