AS4C128M8D3B-12BIN - IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
85785 Pieces
参考价
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规格 AS4C128M8D3B-12BIN
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 :
AS4C128M8D3B-12BIN
制造商 :
Alliance Memory, Inc.
描述 :
IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
系列 :
-
零件状态 :
Active
内存类型 :
Volatile
存储格式 :
DRAM
技术 :
SDRAM - DDR3
内存大小 :
1Gb (128M x 8)
时钟频率 :
800MHz
写周期时间 - 字，页面 :
15ns
访问时间 :
20ns
内存接口 :
Parallel
电压 - 电源 :
1.425V ~ 1.575V
工作温度 :
-40°C ~ 95°C (TC)
安装类型 :
Surface Mount
封装/箱体 :
78-VFBGA
供应商设备封装 :
78-FBGA (8x10.5)
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
文件 AS4C128M8D3B-12BIN
数据表 :
AS4C128M8D3B-12BIN.pdf
相关产品 AS4C128M8D3B-12BIN Alliance Memory, Inc.
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 50PF 30KV AXIAL. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 8400PF 18KV. |
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Vishay Vitramon |
CAP CER 1000PF 100V 10 BX 0805. |
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KEMET |
CAP CER 0805 150NF 63V X7R 10. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 8800PF 10KV SCREW. |
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Vishay Vitramon |
CAP CER 3300PF 100V BX 0805. |
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CAP CER 5.9PF 50V NP0 0201. |
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CAP CER 5.6PF 25V C0G/NP0 01005. |
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