PSMN6R3-120ESQ - MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK

制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
167595 Pieces
参考价
USD 1.674
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规格 PSMN6R3-120ESQ

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : PSMN6R3-120ESQ
制造商 : Nexperia USA Inc.
描述 : MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
系列 : -
零件状态 : Active
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss) : 120V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 70A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON)) : 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 6.7 mOhm @ 25A, 10V
VGS(TH)(最大)标识 : 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 207.1nC @ 10V
VGS(最大) : ±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 11384pF @ 60V
FET特点 : -
功率耗散(最大) : 405W (Tc)
工作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型 : Through Hole
供应商设备封装 : I2PAK
封装/箱体 : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : PSMN , PSMN6R3

文件 PSMN6R3-120ESQ

数据表 : PSMN6R3-120ESQ.pdf

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