TPC8018-H(TE12LQM) - MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
6856 Pieces
参考价
USD 0
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规格 TPC8018-H(TE12LQM)

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : TPC8018-H(TE12LQM)
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
描述 : MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
系列 : -
零件状态 : Obsolete
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 18A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON)) : 4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 4.6 mOhm @ 9A, 10V
VGS(TH)(最大)标识 : 2.3V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 38nC @ 10V
VGS(最大) : ±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 2265pF @ 10V
FET特点 : -
功率耗散(最大) : 1W (Ta)
工作温度 : 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : 8-SOP (5.5x6.0)
封装/箱体 : 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : TPC801 , TPC8018-H

文件 TPC8018-H(TE12LQM)

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