BSP125 E6327 - MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
9013 Pieces
参考价
USD 0
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规格 BSP125 E6327

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : BSP125 E6327
制造商 : Infineon Technologies
描述 : MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
系列 : SIPMOS®
零件状态 : Obsolete
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss) : 600V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 120mA (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON)) : 4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 45 Ohm @ 120mA, 10V
VGS(TH)(最大)标识 : 2.3V @ 94µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 6.6nC @ 10V
VGS(最大) : ±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 150pF @ 25V
FET特点 : -
功率耗散(最大) : 1.8W (Ta)
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : PG-SOT223-4
封装/箱体 : TO-261-4, TO-261AA
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : BSP1 , BSP125

文件 BSP125 E6327

数据表 : BSP125 E6327.pdf

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