2SK879-GR(TE85L,F) - JFET N-CH 0.1W USM

制造商零件编号
内部零件号
简要描述
JFET N-CH 0.1W USM
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
3315180 Pieces
参考价
USD 0.08463
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规格 2SK879-GR(TE85L,F)

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : 2SK879-GR(TE85L,F)
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
描述 : JFET N-CH 0.1W USM
系列 : -
零件状态 : Active
FET型 : N-Channel
电压 - 击穿(V(BR)GSS) : -
漏极至源极电压(Vdss) : -
电流 - 漏极(的Idss)@的Vds(Vgs = 0时) : 2.6mA @ 10V
当前漏极(Id) - 最大 : -
电压 - 截止(VGS关闭)@标识 : 400mV @ 100nA
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 8.2pF @ 10V
电阻 - RDS(ON) : -
功率 - 最大 : 100mW
工作温度 : 125°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : SC-70, SOT-323
供应商设备封装 : USM
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : 2SK879 , 2SK879-GR

文件 2SK879-GR(TE85L,F)

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